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IM830B	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	Pb-free, RoHS and REACH compliant	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IM830B	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	MEMS Oscillator, -55?C to 125?C, LVCMOS/HCMOS Compatible, 1.000 MHz to 110.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM830C	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	Pb-free,RoHSandREACHcompliant	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IM830C	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	MEMSOscillator,-55?Cto125?C,LVCMOS/HCMOSCompatible,1.000MHzto110.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM830D	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	Pb-free,RoHSandREACHcompliant	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IM830D	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	MEMSOscillator,-55?Cto125?C,LVCMOS/HCMOSCompatible,1.000MHzto110.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM830E	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	MEMSOscillator,-55?Cto125?C,LVCMOS/HCMOSCompatible,1.000MHzto110.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM830E	文件：734.74 Kbytes Page：9 Pages	Pb-free,RoHSandREACHcompliant	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IRC830	文件：222.26 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRC830	文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	Dynamicdv/dfRating	IRF International Rectifier	IRF
IRC830PBF	文件：202.94 Kbytes Page：9 Pages	Dynamicdv/dfRating	IRF International Rectifier	IRF
IRF830	文件：92.72 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-1.35ohm-4.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=1.35? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■1	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF830	文件：58.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES ?Repe	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRF830	文件：282.47 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancementMode ?SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ?LowRDS(on)toMinimizeOn?Losses,SpecifiedatElevated Temperature ?Rugged—SOAisPowerDissipationLimited ?Source?to?DrainDiodeCharacterizedforUsewithInductiveLoads	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF830	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VGSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF830	文件：56.15 Kbytes Page：7 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF830	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
IRF830	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF830	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF830	文件：95.81 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IM83751EP2BD	PHI	23+	DIP	12300		詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IM855-218-002	MODULE	1344+		132	優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	IM8601R	IMP	22+	DFN	42341	原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IM8601R	IMP	21+	DFN	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市納艾斯科技有限公司	IM8601RG	IM	2020+	SOT26	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	IM8601RG	IM	1923+	SOT26	5000	正品原裝品質(zhì)假一賠十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IM8601RG	IM	23+	SOT26	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IM8601RG	IM	2022	SOT26	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
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更多IM830B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:53:00

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