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IQTCQO-251KX

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

IQTCXO-251

Temperaturecompensatedcrystaloscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IRF251

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvoltage)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF251

HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries

FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert

IXYS

IXYS Corporation

IRF251

N-CHANNEPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF251

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF251

NanosecondSwitchingSpeed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP251

N-ChannelPowerMosfets

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRFP251

N-Channel(HexfetTransistors)

IRF

International Rectifier

IRFP251

HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries

FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ILD251

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出

  • 包裝：

    散裝

  • 電壓 - 隔離：

    5300Vrms

  • 電流傳輸比（最小值）：

    20% @ 10mA

  • 輸入類型：

    AC，DC

  • 輸出類型：

    晶體管

  • 電壓 - 輸出（最大值）：

    30V

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.2V

  • Vce 飽和壓降（最大）：

    400mV

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 描述：

    OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8DIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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24+
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2000
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65800
光耦原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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DIPSOP8
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更多ILD251供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 16:30:00

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