訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
IKW08T120
- 產(chǎn)品分類(lèi):
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
12000
- 產(chǎn)品封裝:
N/A
- 生產(chǎn)批號(hào):
23+
- 庫(kù)存類(lèi)型:
- 更新時(shí)間:
2025-1-18 11:10:00
首頁(yè)>IKW08T120FKSA1>芯片詳情
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1+ |
芯片
12000
N/A
23+
2025-1-18 11:10:00
原廠料號(hào):IKW08T120品牌:Infineon(英飛凌)
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
IKW08T120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的IKW08T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
IKW08T120
INFINEON【英飛凌】詳情
Infineon Technologies AG
英飛凌科技股份公司
16 頁(yè)
372.55 kb
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop? and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
描述
IKW08T120FKSA1
Infineon Technologies
TrenchStop?
管件
NPT,溝槽型場(chǎng)截止
2.2V @ 15V,8A
1.37mJ
標(biāo)準(zhǔn)
40ns/450ns
600V,8A,81 歐姆,15V
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-1
IGBT 1200V 16A TO247-3
貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司
陳先生/周小姐
18923718265
0755-82721010
0755-28225816
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