IKW03N120H2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TI/德州儀器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IKW03N120H2

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    TI/德州儀器

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    69820

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOP16

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-16 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):IKW03N120H2品牌:TI/德州儀器

終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!

  • 芯片型號(hào):

    IKW03N120H2

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    381.11 kb

  • 資料說(shuō)明:

    HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKW03N120H2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    290μJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    9.2ns/281ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,3A,82 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    何妮妮

  • 手機(jī):

    18124040553

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82573210

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e