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IKQ50N120CT2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKQ50N120CT2
廠商型號(hào)

IKQ50N120CT2

參數(shù)屬性

IKQ50N120CT2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 100A TO247-3-46

功能描述

Low Vce(sat) IGBT in TRENCHSTOP??2 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled Diode
IGBT 1200V 100A TO247-3-46

文件大小

2.1138 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-25 18:14:00

IKQ50N120CT2規(guī)格書詳情

IKQ50N120CT2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKQ50N120CT2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IKQ50N120CT2XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    3.8mJ(開),3.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    34ns/312ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-46

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A TO247-3-46

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon
2023
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
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Infineon(英飛凌)
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NA/
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Infineon(英飛凌)
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TO-247
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Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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