IKQ50N120CH3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
IKQ50N120CH3
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Infineon/英飛凌
庫(kù)存數(shù)量：
4500
產(chǎn)品封裝：
TO-247-3
生產(chǎn)批號(hào)：
2023
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-18 19:16:00

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原廠料號(hào)：IKQ50N120CH3品牌：Infineon/英飛凌

公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單

IKQ50N120CH3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-3的IKQ50N120CH3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
IKQ50N120CH3
規(guī)格書(shū)：
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企業(yè)簡(jiǎn)稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
16 頁(yè)
文件大?。?/span>
2098.87 kb
資料說(shuō)明：
Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IKQ50N120CH3XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，50A
開(kāi)關(guān)能量：
3mJ（開(kāi)），1.9mJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
34ns/297ns
測(cè)試條件：
600V，50A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3-46
描述：
IGBT 1200V 100A TO247-3-46

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市柏芯特電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
陳總
手機(jī)：
13751041283
詢價(jià)：
電話：
13751041283
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路18號(hào)新亞洲國(guó)利大廈733

IKQ50N120CH3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKQ50N120CH3

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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