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IKP08N65H5XKSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IKP08N65H5XKSA1參考圖片

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原廠料號：IKP08N65H5XKSA1品牌：Infineon Technologies

原廠渠道,現(xiàn)貨配單

IKP08N65H5XKSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO2203/TO-220-3 整包的IKP08N65H5XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IKP08N65H5XKSA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IGBT PRODUCTS - Rail/Tube

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IKP08N65H5XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    70μJ（開），30μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    11ns/115ns

  • 測試條件：

    400V，4A，48 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-111

  • 描述：

    IGBT 650V 18A TO220-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市河鋒鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊佳河

  • 手機(jī)：

    13652326683

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13652326683

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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