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IKN06N60RC2

600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode

Features ?VCE=600V ?IC=6A ?Verytightparameterdistribution ?Operatingrangeof1to20kHz ?Maximumjunctiontemperature150°C ?Shortcircuitcapabilityof3μs ?Humidityrobustdesign ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?CompleteproductspectrumandPSpiceModels:htt

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKN06N60RC2ATMA1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKD06N60RC2

CosteffectivemonolithicallyintegratedIGBTwithDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IKN06N60RC2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 23:00:00