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IKN04N60RC2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKN04N60RC2
廠商型號

IKN04N60RC2
參數(shù)屬性

IKN04N60RC2 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
功能描述

600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
絲印標識

K4DRC2
封裝外殼

PG-SOT223-3 / TO-261-4，TO-261AA
文件大小

1.25911 Mbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-10 23:00:00

IKN04N60RC2規(guī)格書詳情

IKN04N60RC2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKN04N60RC2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? VCE = 600 V

? IC = 4 A

? Very tight parameter distribution

? Operating range of 1 to 20 kHz

? Maximum junction temperature 150°C

? Short circuit capability of 3 μs

? Humidity robust design

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/rc-d2

Potential applications

Ceiling fan

Countertop appliances - mixing

Kitchen hood

Refrigerators

Residential aircon indoor unit

Washing machines

General purpose drives (GPD)

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IKN04N60RC2ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，4A

  • 開關(guān)能量：

    95μJ（開），62μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    8ns/126ns

  • 測試條件：

    400V，4A，49 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT223-3

  • 描述：

    HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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