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IKB15N60T	文件：702.11 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKP15N60T	文件：402.83 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -FrequencyConverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKP15N60T	文件：460.48 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU15N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IRFP15N60L	文件：171.5 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP15N60L	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP15N60L	文件：326.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP15N60LPBF	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IKB15N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IKB15N60T供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:04:00

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