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IIPW60R199CP	文件：335.73 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤199m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPA60R199CP	文件：566.78 Kbytes Page：10 Pages	CoolMosPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA60R199CP	文件：264.57 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Lowestfigure-of-meritRONxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisdesignedfor: ?HardswitchingSMPStopologies	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPA60R199CP	文件：333.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199? ?Highpeakcurrentcapability ?Enhancementmode ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?HardswitchingSMPStopologies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB60R199CP	文件：189.14 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPB60R199CPA	文件：450.92 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Lowestfigure-of-meritRonxQg ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?AutomotiveAECQ101qualified ?Greenpackage(RoHScompliant) CoolMOSCPAisspeciallydesignedfor: ?DC/DCconvertersforAutomotiveApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPI60R199CP	文件：330.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.199? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPI60R199CP	文件：394.05 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS?PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPL60R199CP	文件：1.6031 Mbytes Page：13 Pages	600VCoolMOSCPPowerTransistor Description TheCoolMOS?CPseriesoffersdeviceswhichprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconductionlossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,lighter,andcooler. Features ?Reducedboar	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPP60R199CP	文件：385.13 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS?PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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更多IIPW60R199CP供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 17:29:00

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