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IGP40N65F5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 650V 74A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細參數(shù)

型號：
IGP40N65F5
功能描述：
IGBT 晶體管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

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