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IGP30N60T	文件：378.54 Kbytes Page：12 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60T_09	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60T	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply ?TRENCHSTOP?andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60TP	文件：1.46499 Mbytes Page：14 Pages	TRENCHSTOPTMPerformancetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N60T	文件：545.89 Kbytes Page：12 Pages	PositivetemperaturecoefficientinVCE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N60T	文件：365.88 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N60T	文件：368.59 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStoptechnologywithoptimiseddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60TA	文件：671.46 Kbytes Page：14 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS30N60K	文件：136.66 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS30N60K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFPS30N60KPBF	文件：135.75 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching ●Lead-Free Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitan	IRF International Rectifier	IRF
IXFA30N60X	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFA30N60X	文件：212.15 Kbytes Page：5 Pages	AdvanceTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：141.46 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC30N60P	文件：323.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IGP30N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IGP30N60T供應商更新時間2024-11-17 14:00:00

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