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IGP30N60H3

High speed switching series third generation

TRENCHSTOPtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGP30N60H3

Trench and Fieldstop IGBT

DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IGP30N60H3XKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

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BIDNW30N60H3

BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns?ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

IGA30N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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IGB30N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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IGW30N60H3

HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

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IKW30N60H3

IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKW30N60H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IGP30N60H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V 30A 187W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
18+
TO-220-3
500
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-220
17413
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
18+
500
TO-220-3
 詢價(jià)
INFINEON
23+
PG-TO220-3
500
原裝現(xiàn)貨支持送檢
 詢價(jià)
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3079
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
2023+
TO-220
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
更多IGP30N60H3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 14:01:00

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