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IDW12G65C5

650V SiC thinQ!??Generation 5 diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDW12G65C5_12

ThinQ!??Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

InfineonInfineon Technologies AG

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IDW12G65C5FKSA1

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3

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IDW12G65C5XKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IDH12G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDH12G65C5

SiliconCarbideDiode

InfineonInfineon Technologies AG

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IDK12G65C5

SiliconCarbideDiode

InfineonInfineon Technologies AG

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IDK12G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDL12G65C5

650VSiCthinQ!??Generation5diodes

Features ■V?at650V ImprovedFigureofMerit(QxV) ■Noreverserecoverycharge ■Softswitchingreverse recoverywaveform ■Temperatureindependent switchingbehavior Highoperatingtemperature (?175°C) ■Improvedsurgecapability ■Pb-freeleadplating ?10yearsmanufacturingof

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IDL12G65C5

SiliconCarbideDiode

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IDW12G65C5

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
 詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-3
8800
公司只作原裝正品
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO247-3
10000
原裝,品質(zhì)保證,請(qǐng)來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
65
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
2021+
PG-TO247-3
9600
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
PG-TO247-3
25000
原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
2023+
PG-TO247-3
6000
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
 詢價(jià)
更多IDW12G65C5供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 15:15:00

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