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IDT71V67602S133BG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67602S133BG

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67602S133BGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67602S133BGI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67602S133BGI8

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67602S133BQ

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67602S133BQI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67602S133PF

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67602S133PFI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IDT71V67602S133BG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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119-PBGA(14x22)
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