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IDT71V65602S100BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S100BG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V65602S100BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S100BG8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V65602S100BQ

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S100BQI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S100PF

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65602S100PFI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V65602S100BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT
23+
119-PBGA(14x22)
39257
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!
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IDT, Integrated Device Technol
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IDT, Integrated Device Technol
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119PBGA (14x22)
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119PBGA (14x22)
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119PBGA (14x22)
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IDT, Integrated Device Techno
23+
119-PBGA14x22
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IDT71V65602S100BG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 10:50:00

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