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IDT71V256SA20PZ

LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA20PZ

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V256SA20PZG8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA20PZGI8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA20PZI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V256SA20PZI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA20PZG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA20PZGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA20YPZG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA20YPZGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA20TP

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA20Y

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IDT71V256SA20PZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-TSOP

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT
23+
28-TSOP
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專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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IDT, Integrated Device Technol
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IDT, Integrated Device Techno
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28-TSOP
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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IDT, Integrated Device Techno
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28-TSOP
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多IDT71V256SA20PZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-9 16:30:00

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