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IDT71P74604S200BQ集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IDT71P74604S200BQ |
| 參數(shù)屬性 | IDT71P74604S200BQ 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA |
| 功能描述 | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| 文件大小 |
578.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-5 23:00:00 |
相關芯片規(guī)格書
更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IDT71P74604S200BQ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 同步，QDR II
- 存儲容量：
18Mb（512K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
165-TBGA
- 供應商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
21+ |
BGA-165D |
3800 |
詢價 | |||
IDT |
23+ |
NA/ |
55 |
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IDT |
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IDT |
23+ |
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IDT |
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QFP |
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IDT, Integrated Device Techno |
23+ |
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IDT |
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詢價 |
