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IDT71P72804S200BQG

包裝：管件 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71P72804S200BQ

18MbPipelinedQDRIISRAMBurstof2

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IDT71P72804S200BQG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，QDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT
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165-CABGA(13x15)
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更多IDT71P72804S200BQG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 17:38:00

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