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IDT71124S12YI

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71124S12YI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71124S12YI8

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71124S12YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71124S12Y

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IDT71124S12YI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IDT71124S12YI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 16:20:00