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IDT71016S20Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT71016S20Y
廠商型號

IDT71016S20Y

參數(shù)屬性

IDT71016S20Y 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

文件大小

482.33 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 23:00:00

IDT71016S20Y規(guī)格書詳情

Description

The IDT71016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized as 64K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs.

Features

◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ Equal access and cycle times

– Commercial and Industrial: 12/15/20ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly TTLcompatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Upper and Lower Byte Enable Pins

◆ Commercial and industrial product available in 44-pin Plastic SOJ package and 44-pin TSOP package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT71016S20Y

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IDT
23+
NA/
3280
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
IDT
2016+
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3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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2020+
SOJ44
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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00+
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IDT
24+
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19
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