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IDT70V658S12DRI中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IDT70V658S12DRI
廠商型號

IDT70V658S12DRI

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件大小

203.65 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 15:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IDT70V658S12DRI

  • 功能描述:

    IC SRAM 2MBIT 12NS 208QFP

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲器:

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型:

    EEPROM

  • 存儲容量:

    8K(1K x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 線串口

  • 電源電壓:

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    8-SOIC

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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