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70V3579S4BC	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S4BCG	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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70V3579S4BF	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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70V3579S4DRG	文件：506.88 Kbytes Page：18 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3579S4DRG	文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V3579S4DRGI	文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V3579S4BC	文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V3579S4BCI	文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V3579S4BF	文件：187.63 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IDT70V3579S4BCG
功能描述：
IC SRAM 1.125MBIT 4NS 256BGA
RoHS：
是
類別：
集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
系列：
- 格式 -
存儲(chǔ)器：
EEPROMs - 串行
存儲(chǔ)器類型：
EEPROM
存儲(chǔ)容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 線串口
電源電壓：
1.7 V ~ 5.5 V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
8-SOIC
包裝：
帶卷(TR)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	23+	256-CABGA(17x17)	9550	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	2021+	BGA256	3100	只做原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	23+	BGA256	1500	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	24+	256BGA	5765	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	22+	256CABGA	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	21+	256CABGA	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市恒佳微電子有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	2021+	BGA256	1500	十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IDT70V3579S4BCG	IDT	23+	256CABGA	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IDT70V3579S4BCGI	IDT	19+	BGA-256PIN	74042	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	IDT70V3579S4BCGI	IDT	22+	BGA-256PIN	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IDT70V3579S4BCG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 16:30:00

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