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70T633S10BFI8

HIGH-SPEED2.5V512/256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多IDT70T633S10BFI8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 16:33:00

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