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IDT6116SA45TP	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA45TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：24-DIP（0.300"，7.62mm）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT6116SA45DB	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT6116SA45SOI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA45TDB	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA45Y	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116SA45YI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IDT6116SA45TP
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
16Kb（2K x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
45ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
24-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：
24-PDIP
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT6116SA45TP	IDT	23+	24-PDIP	9550	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IDT6116SA45TP	IDT	24+	DIP	9		詢價(jià)
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更多IDT6116SA45TP供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 16:30:00

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