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IDT6116LA35SO集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT6116LA35SO
廠商型號

IDT6116LA35SO

參數(shù)屬性

IDT6116LA35SO 封裝/外殼為24-SOIC(0.295",7.50mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

功能描述

CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

封裝外殼

24-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

文件大小

111.94 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 22:59:00

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IDT6116LA35SO規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology.

FEATURES:

? High-speed access and chip select times

— Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35/45ns (max.)

? Low-power consumption

? Battery backup operation

— 2V data retention voltage (LA version only)

? Produced with advanced CMOS high-performance

technology

? CMOS process virtually eliminates alpha particle

soft-error rates

? Input and output directly TTL-compatible

? Static operation: no clocks or refresh required

? Available in ceramic and plastic 24-pin DIP, 24-pin Thin

Dip and 24-pin SOIC and 24-pin SOJ

? Military product compliant to MIL-STD-833, Class B

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT6116LA35SO

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    35ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    24-SOIC

  • 描述:

    IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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