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IR-650	文件：99.9 Kbytes Page：1 Pages	ImageRejectionMixers	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
IRF650	文件：898.48 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF650A	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF650APBF	文件：1.64511 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF650B	文件：898.48 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI650B	文件：673.28 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS650A	文件：258.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.071Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS650A	文件：59.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS650B	文件：898.48 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS650B	文件：651.17 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFW650B	文件：673.28 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
ISZ-650	文件：581.06 Kbytes Page：24 Pages	Single-AxisZ-GyroProductSpecification	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
JCS650	文件：1.26353 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS650C-O-C-N-B	文件：1.26353 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS650F-O-F-N-B	文件：1.26353 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS650S	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
JK-MSMD650L	文件：414.36 Kbytes Page：8 Pages	LowResistanceResettableFusePTCSMD1812Series	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
JK-NSMD650L	文件：433.21 Kbytes Page：8 Pages	LowResistanceResettableFusePTCSMD1206Series	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
JPSU-650W-AC-AI	文件：722.37 Kbytes Page：14 Pages	QFX5120ETHERNETSWITCH	JUNIPERJuniper Networks, Inc. 瞻博網(wǎng)絡(luò)	JUNIPER
JPSU-650W-AC-AO	文件：722.37 Kbytes Page：14 Pages	QFX5120ETHERNETSWITCH	JUNIPERJuniper Networks, Inc. 瞻博網(wǎng)絡(luò)	JUNIPER

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IDG-650
制造商：
InvenSense Inc
功能描述：
GYRO DUAL(X+Y) AXIS +/-2000 DEG/S
功能描述：
GYRO, DUAL(X+Y) AXIS, +/-2000 DEG/S

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
瀚佳科技(深圳)有限公司	IDG-650	Invensense	24+	QFN	36520	一級代理/放心采購	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDG-650		23+	原廠封裝	20719	專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定	詢價
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深圳市能元時代電子有限公司	IDG-650	INVENSENS	23+	INVENSENS	28500	主營品牌深圳百分百原裝現(xiàn)貨假一罰十絕對價優(yōu)	詢價
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IDG-650	Invensens	24+	QFN	6210	全新原裝現(xiàn)貨,歡迎詢購!!	詢價
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDG-650	Invensen		QFN28	1000	原裝長期供貨!	詢價
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IDG-650	INVENSENS	1950+	QFN	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IDG-650	INVENSE	2020+	QFN	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	IDG-650	INVENSEN	2023+	QFN	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多IDG-650供應(yīng)商更新時間2025-1-7 15:21:00

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