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HZC5.6	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC5.6	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZF5.6BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W5.6VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
HZF5.6BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
HZM5.6MWA	文件：55.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM5.6N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZM5.6N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HZM5.6ZFA	文件：31.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM5.6ZFA	文件：156.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features ?HZM5.6ZFAhasfourdevices,andcanabsorbsurge. ?Lowcapacitance(C=8.5pFmax)andcanprotectESDofsignalline. ?MPAK-5Packageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZU5.6	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. ?Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZU5.6	文件：103.98 Kbytes Page：10 Pages	OldCompanyNameinCatalogsandOtherDocuments	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HZU5.6B	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. ?Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HZU5.6Z	文件：156.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features ?Lowcapacitance(C=8.5pFmax)andcanprotectsignallinefromESD. ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
KDZ5.6B	文件：128 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
KDZ5.6B	文件：135.63 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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詳細參數(shù)

型號：
HZC5.6
制造商：
HITACHI
制造商全稱：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多HZC5.6供應商更新時間2025-1-4 12:59:00

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