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HY57V161610ET-7

2Banksx512Kx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply ?All

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V161610ET-7I

2Banksx512Kx16BitSynchronousDRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Eisa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Eisorganizedas2banksof524,288x16. FEATURES ?Single3.0Vto3.6Vpowersupply

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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更多HY57V161610ET-7DR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 15:58:00

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