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INDR330B

LongDistanceDigitalDisplayLinkTransmitter&Receiver

[InovaSemiconductors] GeneralDescription TheGigaSTaR?DigitalDisplayLinkisahigh-speedserialandlongdistancelinkforvideo,audioanddigitaldata,whichsupportsthepopularVESAstandardbutalsoproprietaryvideoformatsfromVGAtoUXGAwithcolordepthupto24bits. Features:

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

INDT330B

LongDistanceDigitalDisplayLinkTransmitter&Receiver

[InovaSemiconductors] GeneralDescription TheGigaSTaR?DigitalDisplayLinkisahigh-speedserialandlongdistancelinkforvideo,audioanddigitaldata,whichsupportsthepopularVESAstandardbutalsoproprietaryvideoformatsfromVGAtoUXGAwithcolordepthupto24bits. Features:

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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IRF330

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF330

N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V

Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VQSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF330

TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=400V,Rds(on)=1.00ohm,Id=5.5A)

TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio

IRF

International Rectifier

IRF330

5.5A,400V,1.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF330

N-CHANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRF330

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?DrainCurrentID=5.5A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Highvoltage,highspeedapplications ?Off-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF330

N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V

Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VQSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSp

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF330

IRF330-333/IRF730-733MTM/MTP5N35/5N40N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ?VQSRatedat±20V ?SiliconGateforFastSwitchingSp

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HY330

  • 制造商：

    Seoul Semiconductor Inc.

  • 類別：

    光電器件 > LED 指示 - 分立

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 顏色：

    黃色

  • 配置：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 毫燭光等級：

    4000mcd

  • 透鏡樣式：

    圓形，帶圓頂

  • 透鏡尺寸：

    3.00mm 直徑

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    2.6V

  • 電流 - 測試：

    70mA

  • 視角：

    90°

  • 安裝類型：

    通孔

  • 波長 - 主：

    590nm

  • 封裝/外殼：

    4-DIP（0.200"，5.08mm）

  • 大小 / 尺寸：

    7.62mm 長 x 7.62mm 寬

  • 高度（最大值）：

    5.80mm

  • 描述：

    LED YELLOW 4DIP THROUGH HOLE

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更多HY330供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 15:15:00

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