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HY1607B	文件：2.35762 Mbytes Page：14 Pages	N- Channel Enhancement Mode MOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
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HY1607D	文件：1.09495 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
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HY1607P	文件：2.35762 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
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HY1607PS	文件：1.17772 Mbytes Page：15 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
HY1607PS	文件：2.35762 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
HY1607U	文件：1.09495 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
HY1607V	文件：1.09495 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
IIRF1607	文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1607	文件：234.11 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0075ohm,Id=142A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1607	文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1607PBF	文件：160.22 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1607PBF	文件：261.98 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
JMCL1607F-D	文件：324.77 Kbytes Page：7 Pages	CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432 ◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina	DDK DDK Ltd.	DDK

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	HY1607B	華裔	24+	TO-263-2L	6000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市潤聯(lián)芯城科技有限公司	HY1607B	后羿	16+	TO-263	500	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	HY1607B	HUAYI/華羿微	22+23+	TO-263	980	HY代理假一賠十全新原裝現(xiàn)貨075582732291提供原廠技術(shù)	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	HY1607B	華羿微	23+	TO-263-2L	22000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	HY1607B	HOOYI	24+	TO-263	500287	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	HY1607B	HUAYI(華羿微)	2112+	TO-263-2L	105000	800個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HY1607B	HOOYI	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	HY1607B	HY	21+	TO-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	HY1607B	HY	2022+	TO-263	23416	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	HY1607B	華裔	21+	TO-263-2L	7540	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)

更多HY1607B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:36:00

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