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HSD965中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HSD965
廠商型號

HSD965

功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

32.74 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 17:51:00

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HSD965規(guī)格書詳情

Description

The HSD965 is suited for use as AF output amplifier and flash unit.

Absolute Maximum Ratings

? Maximum Temperatures

Storage Temperature........................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................. 150 °C Maximum

? Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................ 750 mW

? Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ..................................... 40 V

VCEO Collector to Emitter Voltage.................................. 20 V

VEBO Emitter to Base Voltage .......................................... 7 V

IC Collector Current (Continuous) ..................................... 5 A

IC Collector Current (Peak PT=10mS) .............................. 8 A

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HSD965

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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