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HS9-303BEH-Q中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HS9-303BEH-Q
廠商型號(hào)

HS9-303BEH-Q

功能描述

Radiation Hardened CMOS Dual SPDT Analog Switch

文件大小

251.1 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-8 20:38:00

HS9-303BEH-Q規(guī)格書詳情

Features

? QML, per MIL-PRF-38535

? Radiation performance

○ Total dose: 3x105rad(Si)

○ SEE: For LET = 60MeV?cm2/mg at 60° incident

angle, <150pC charge transferred to the output of

an off switch (based on SOI design calculations)

? No latch-up, dielectrically isolated device islands

? Pinout and functionally compatible with Renesas

HS-303RH and HI-303 series analog switches

? Analog signal range equal to the supply voltage

range

? Low leakage: 100nA (max, post-rad)

? Low rON: 70Ω (max, post-rad)

? Low standby supply current: +150μA/-100μA

(max, post-rad)

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