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HS4104	文件：795.54 Kbytes Page：16 Pages	High Performance Relative Humidity and Temperature Sensor with Analog Output Features ■Humidityrange:0to100RH ■Automotivegrade,AEC-Q100qualified,Grade2, -40°Cto+105°C ■Industrialgrade,JEDECqualified,-40°Cto+105°C ■10to90ratio-metricanalogoutputvoltage ■RHaccuracy:±1.5RH,typical(HS4101) ■FastRHresponsetime:4secondstimeconstant,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HS4104	文件：794.88 Kbytes Page：16 Pages	High Performance Relative Humidity and Temperature Sensor with Analog Output Features ■Humidityrange:0to100RH ■Automotivegrade,AEC-Q100qualified,Grade2, -40°Cto+105°C ■Industrialgrade,JEDECqualified,-40°Cto+105°C ■10to90ratio-metricanalogoutputvoltage ■RHaccuracy:±1.5RH,typical(HS4101) ■FastRHresponsetime:4secondstimeconstant,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IIRF4104	文件：338.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR4104	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF4104	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104	文件：338.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF4104GPBF	文件：276.76 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104L	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104LPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104PBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104PBF	文件：382.16 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104S	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104SPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=5.5mohm,Id=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104	文件：4.166479 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR4104	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：4.17531 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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更多HS4104供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 10:02:00

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