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HN3C12F	文件：90.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinSM6(SuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
HN3C12FU	文件：90.85 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHFBANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS ●IncludingTwoDevicesinUS6(UltraSuperMiniTypewith6Leads)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
SMA3C12	文件：320.87 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司	SUNMATE
SMA3C12	文件：322.975 Kbytes Page：2 Pages	3W12VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
SZ3C12	文件：101.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：100.67 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：50.08 Kbytes Page：1 Pages	SurfacemountdiodeZenersilicondiodes SurfacemountdiodeZenersilicondiodes MaximumPower Dissipation:3W NominalZ-voltage:1to200V	SemikronSemikron International 賽米控丹佛斯	Semikron
SZ3C12	文件：54.38 Kbytes Page：3 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 賽米控丹佛斯	Semikron
SZ3C12	文件：120.07 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology) SMDZenerDiodes(non-planartechnology) Features HighpowerdissipationVZupto200VComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Voltagestabilizationandregulators(Forovervoltageprotection–uni-andbi-directional–seeTVSdiodesTGL41series)Commerci	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：141.25 Kbytes Page：2 Pages	SMDZenerDiodes	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：147.24 Kbytes Page：2 Pages	SMDZenerDiodes	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
SZ3C12	文件：98.9 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology) SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology) ?Maximumpowerdissipation3W ?NominalZ-voltage1...200V ?PlasticcaseMELFDO-213AB ?Weightapprox.0.12g ?Plasticmaterial	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
SZ3C12B	文件：99.34 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology) SurfaceMountSilicon-ZenerDiodes(non-planartechnology) ?Maximumpowerdissipation3W ?NominalZ-voltage10...200V ?PlasticcaseMELFDO-213AB ?Weightapprox.0.12g ?Pl	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
URAM3C12	文件：1.18454 Mbytes Page：8 Pages	OutputRippleAttenuationModule	Vicor Vicor Corporation	Vicor
ZM3C12	文件：230.45 Kbytes Page：3 Pages	3WATTZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

詳細參數

型號：
HN3C12F
制造商：
TOSHIBA
制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多HN3C12F供應商更新時間2024-12-25 17:00:00

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