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HN3C10FU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

HN3C10FU
廠商型號(hào)

HN3C10FU
參數(shù)屬性

HN3C10FU 封裝/外殼為6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
封裝外殼

6-TSSOP，SC-88，SOT-363
文件大小

90.99 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA【東芝】

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 22:58:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    US6

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
2016+
SOT363
23864
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 詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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TOSHIBA/東芝
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SOT-363
50000
原裝正品 支持實(shí)單
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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54648
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
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TOSHIBA
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SOT-363
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
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TOSHIBA
22+
SC70-6
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
24+
SOT-363SOT-323-6
63200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢(xún)價(jià)

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