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HMC949	文件：980.4 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER WITH POWER DETECTOR, 12 - 16 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC949	文件：982.56 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER WITH POWER DETECTOR, 12 - 16 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC949	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	Active Bias Controller High Current	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC949	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：模具類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器描述：IC RF AMP VSAT 12GHZ-16GHZ DIE	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC949_11	文件：980.4 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER WITH POWER DETECTOR, 12 - 16 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
MC949	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MPC949	文件：127.4 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE1:15PECLTOCMOSCLOCKDRIVER LowVoltage1:15PECLtoCMOSClockDriver TheMPC949isalowvoltageCMOS,15outputclockbuffer.The15outputscanbeconfiguredintoastandardfanoutbufferorinto1Xand1/2Xcombinations.ThedevicefeaturesalowvoltagePECLinput,inadditiontoitsLVCMOS/LVTTLinputs,toallowitt	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NTE949	文件：28.71 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitDualAudioOperationalAmplifier/Preamplifier Description: TheNTE949consistsoftwoidenticalhighgainOPAmpsconstructedonasingle8–LeadMetalCantypepackage.Thesethree–stageamplifiersuseClassAPNPtransistoroutputstageswithuncommittedcollectors.Thisenablesavarietyofloadstobeemployedforgeneralpurposeapplic	NTE NTE Electronics	NTE
OBTS949	文件：193.32 Kbytes Page：11 Pages	SmartLowsidePowerSwitch	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
P949	文件：1.21776 Mbytes Page：9 Pages	SB?175ConnectorsUpto280Amps Wiressizesfrom10to1/0AWG(5.3to50mm2)fitin thesecondtolargestconnectorintheSB?series.The 3poleSB?175addsanadditionalpositionforpower orgrounding.AllMultipolewireconnectorhousings aregenderlessandmatetothemselvesminimizing inventoryandassemblycomplex	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
P949-BK	文件：1.21776 Mbytes Page：9 Pages	SB?175ConnectorsUpto280Amps Wiressizesfrom10to1/0AWG(5.3to50mm2)fitin thesecondtolargestconnectorintheSB?series.The 3poleSB?175addsanadditionalpositionforpower orgrounding.AllMultipolewireconnectorhousings aregenderlessandmatetothemselvesminimizing inventoryandassemblycomplex	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
PRF949	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PRF949	文件：208.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1dBat1GHz	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
PRF949	文件：81.35 Kbytes Page：7 Pages	UHFwidebandtransistor DESCRIPTION SiliconNPNtransistorinasurfacemount3-pinSOT416(SC-75)package.ThetransistorisprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHzrangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellulartelephones,cordlessphones,radardetectors,pagersandsatelliteTV-tuners. FEA	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PZT949	文件：449.13 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarHighCurrentGainTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S949T	文件：194.88 Kbytes Page：9 Pages	MOSMICforTV-TunerPrestagewith9VSupplyVoltage Comments MOSMIC-MOSMonolithicIntegratedCircuit Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Highgain ?Biasingnetworkonchip ?Improvedcrossmodulationatgainreduction ?HighAGC-range ?SMDpackage ?Lead(Pb)-freecomponent ?Componentinaccordanceto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
S949T	文件：322.89 Kbytes Page：10 Pages	MOSMIC?forTV-TunerPrestagewith9VSupplyVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
S949TR	文件：322.89 Kbytes Page：10 Pages	MOSMIC?forTV-TunerPrestagewith9VSupplyVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
S949TR	文件：194.88 Kbytes Page：9 Pages	MOSMICforTV-TunerPrestagewith9VSupplyVoltage Comments MOSMIC-MOSMonolithicIntegratedCircuit Features ?Integratedgateprotectiondiodes ?Lownoisefigure ?Highgain ?Biasingnetworkonchip ?Improvedcrossmodulationatgainreduction ?HighAGC-range ?SMDpackage ?Lead(Pb)-freecomponent ?Componentinaccordanceto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
S949TR	文件：198.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSMICforTV-TunerPrestagewith9VSupplyVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HMC949
制造商：
Analog Devices Inc.
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器
包裝：
卷帶（TR）
頻率：
12GHz ~ 16GHz
P1dB：
34.5dBm
增益：
31dB
射頻類型：
VSAT
電壓 - 供電：
7V
電流 - 供電：
1.2A
測試頻率：
12GHz ~ 16GHz
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
模具
供應(yīng)商器件封裝：
模具
描述：
IC RF AMP VSAT 12GHZ-16GHZ DIE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	HMC949	HITTITE	24+	SMD	12800	HITTITE專營品牌絕對進(jìn)口原裝假一賠十	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	HMC949	HITTITE	23+	BGA	3500	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	HMC949		2017+	SMD	1585	只做原裝正品假一賠十!	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	HMC949	HITTITE	14+	NA	100	終端備貨原裝現(xiàn)貨-軍工器件供應(yīng)商	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	HMC949	ADI	22+	Die	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	HMC949	ADI	21+	Die	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	HMC949	HITTITE	23+		9920	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
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更多HMC949供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:32:00

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