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HMC579RF/IF射頻/中頻RFID的RFIC模塊規(guī)格書PDF中文資料

HMC579
廠商型號

HMC579

參數(shù)屬性

HMC579 封裝/外殼為模具;包裝為管件;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的RFIC模塊;產(chǎn)品描述:IC MULTI ACTIVE DIE

功能描述

頻率系數(shù)
Test Instrumentation
IC MULTI ACTIVE DIE

封裝外殼

模具

文件大小

298.2 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Analog Devices
企業(yè)簡稱

AD亞德諾

中文名稱

亞德諾半導體技術有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 15:22:00

HMC579規(guī)格書詳情

HMC579屬于RF/IF射頻/中頻RFID的RFIC模塊。由亞德諾半導體技術有限公司制造生產(chǎn)的HMC579RF 其它 IC 和模塊RF 其它 IC 和模塊產(chǎn)品系列包含各種獨特、專門或特定用途的產(chǎn)品,可與 RF、IF 和微波無線電應用結合使用。示例包括 AM/FM 調諧器和接收器、偏置網(wǎng)絡、基帶處理器、計數(shù)器、數(shù)字可調電容器、下變頻器、倍頻器、移相器、前置分頻器、端接器、上變頻器、VCO 等。

General Description

The HMC579 die is a x2 active broadband frequency multiplier utilizing GaAs PHEMT technology. When driven by a +3 dBm signal, the multiplier provides +13 dBm typical output power from 32 to 46 GHz. The Fo isolation is >25 dBc at 38 GHz. The HMC579 is ideal for use in LO multiplier chains for Pt to Pt & VSAT Radios yielding reduced parts count vs. traditional approaches. The low additive SSB Phase Noise of -127 dBc/Hz at 100 kHz offset helps maintain good system noise performance.

Features

High Output Power: +13 dBm

Low Input Power Drive: 0 to +6 dBm

Fo Isolation: >25 dBc @ Fout= 38 GHz

100 KHz SSB Phase Noise: -127 dBc/Hz

Single Supply: +5V@ 70 mA

Die Size: 1.18 mm x 1.23 mm x 0.1 mm

Typical Applications

The HMC579 is suitable for:

? Clock Generation Applications: SONET OC-192 & SDH STM-64

? Point-to-Point & VSAT Radios

? Test Instrumentation

? Military EW / Radar

? Space

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HMC579

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > RF 其它 IC 和模塊

  • 包裝:

    管件

  • 功能:

    頻率系數(shù)

  • 頻率:

    32GHz ~ 46GHz

  • 射頻類型:

    VSAT

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IC MULTI ACTIVE DIE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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