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HM640中文資料華之美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HM640
廠商型號(hào)

HM640

功能描述

the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs

文件大小

935.87 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HMSEMI華之美半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-3 17:37:00

HM640規(guī)格書詳情

Description

HM640, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.

Features:

● Fast Switching

● Low ON Resistance(Rdson≤0.18?)

● Low Gate Charge (Typical Data:24nC)

● Low Reverse transfer capacitances(Typical:25pF)

● 100 Single Pulse avalanche energy Test

Applications:

CRT、TV/Monitor and Lighting.

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