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HM4264B中文資料華之美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HM4264B
廠商型號

HM4264B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

695.51 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

HMSEMI華之美半導體

中文名稱

深圳市華之美半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 20:00:00

HM4264B規(guī)格書詳情

Description

The HM4264B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS = 50V,ID =15A

RDS(ON) < 7.6m? @ VGS=10V (Typ:5.7m?)

RDS(ON) < 8.0m? @ VGS=4.5V (Typ:6.3m?)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

● Load switch

CASE SOP-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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