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HLDD30N10

Marking：D30N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

HLDD30N10

Marking：D30N10；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HM30N10

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM30N10D

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM30N10K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

LMAK30N10

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

P30N10

N-channel100V,0.02廓typ.,32ASTripFET??F7PowerMOSFETinaTO-220package

Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET?F7technologywithanenhanced trenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternal capacitanceandgatechargeforfasterandmore efficientswitching. Features ?AmongthelowestRDS(o

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB30N10

N-CHANNEL100V-0.06ohm-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.06?-30A-D2PAKPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.06? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■VERYHIGHCURRENTCAPABILITY ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STD30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STU30N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
HUILIDA匯利達(dá)
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2022+
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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更多HLDD30N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 10:12:00

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