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HGTP20N35G3VL_INTERSIL_IGBT 晶體管 Coil Dri 20A 350V貿(mào)澤芯城一部

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTP20N35G3VL

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INTERSIL/Intersil Corporation

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    54706

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 17:29:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGTP20N35G3VL品牌：INTERSIL

原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種

  • 芯片型號(hào)：

    HGTP20N35G3VL

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    106.91 kb

  • 資料說(shuō)明：

    20A, 350V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    HGTP20N35G3VL

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 Coil Dri 20A 350V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

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