訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>HGTG30N60A4>詳情
HGTG30N60A4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
HGTG30N60A4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
280μJ(開),240μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
25ns/150ns
- 測試條件:
390V,30A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 75A TO247-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市納艾斯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖小姐
- 手機:
13117514091
- 詢價:
- 電話:
0755-/82781136/2707495
- 傳真:
0755-82707495
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北路賽格大廈5803A
相近型號
- HGTG30N120D2
- HGTG30N120CN
- HGTG30N60A4D-NL
- HGTG30N100
- HGTG300N60A4D
- HGTG2ON60C3DR
- HGTG27N60C3R
- HGTG30N60A4G30N60A4
- HGTG27N60C3DR
- HGTG30N60A4IGBT
- HGTG27N120BNIC
- HGTG30N60B3
- HGTG30N60B3/G30N60B3
- HGTG27N120BND
- HGTG30N60B3_NL
- HGTG27N120BN_04
- HGTG30N60B3D
- HGTG30N60B3D_04
- HGTG27N120BN
- HGTG27N120
- HGTG30N60B3DNL
- HGTG27N100
- HGTG30N60B3G30N60B3
- HGTG30N60B3-NL
- HGTG24N60D1D
- HGTG30N60B3Q
- HGTG24N60D1
- HGTG30N60B4
- HGTG24N60B3
- HGTG30N60B4Q
- HGTG20V60B3D
- HGTG30N60B5
- HGTG20N60RUFD
- HGTG30N60B5Q
- HGTG20N60N4D
- HGTG30N60BBD
- HGTG30N60C3
- HGTG20N60C3R
- HGTG30N60C3D
- HGTG30N60C3D-NL
- HGTG20N60C3IGBT
- HGTG20N60C3DR
- HGTG30N60D1D
- HGTG30N60HS
- HGTG20N60C3D
- HGTG30N6S2D
- HGTG20N60C3
- HGTG32N60E2
- HGTG34N100E2
- HGTG3N60