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DD180N20S

Solder-BondTechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFE180N20

HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

HiPerFET?PowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N20

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·BatteryChargers ·DCChoppers ·PowerFactorCorrection(PFC) ·DC-DCConverters ·HighSpeedPowerSwitchingApplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN180N20

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N20

HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

HiPerFETTMPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOCwithAluminumNitrideIsolation ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?Easy

IXYS

IXYS Corporation

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更多HGP180N20M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 17:30:00

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