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ISB3046

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=350V ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoTypeISB3047 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LM3046

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046

TransistorArray

GeneralDescription TheLM3046consistsoffivegeneralpurposesiliconNPN transistorsonacommonmonolithicsubstrate.Twoofthe transistorsareinternallyconnectedtoformadifferentiallyconnected pair.Thetransistorsarewellsuitedtoawide varietyofapplicationsinlowpowersyst

SYC

SYC Electronica

LM3046M

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046M

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LM3046M/NOPB

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046MSLASHNOPB

TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

LM3046MX

LM3046TransistorArray

TI1Texas Instruments

德州儀器

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HFA3046BZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    5 NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    3.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    14-SOIC

  • 描述:

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

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更多HFA3046BZ供應(yīng)商 更新時間2025-3-28 16:34:00