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HD74HC133RPEL

13-input NAND Gate

Description Thisdevicecontainsasingle13-inputNANDgate.Theyperformthebooleanfunctionsinpositivelogic. Features ?HighSpeedOperation:tpd=12.5nstyp(CL=50pF) ?HighOutputCurrent:Fanoutof10LSTTLLoads ?WideOperatingVoltage:VCC=2to6V ?LowInputCurrent:1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

M74HC133

13INPUTNANDGATE

DESCRIPTION TheM54/74HC133isahighspeedCMOS13-INPUTNANDGATEfabricatedinsilicongateC2MOStechnology.IthasthesamehighspeedperformanceofLSTTLcombinedwithtrueCMOSlowpowerconsumption.Theinternalcircuitiscomposedof7stagesincludingbufferoutput,whichgiveshighno

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M74HC133

13INPUTNANDGATE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M74HC133TTR

13INPUTNANDGATE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MM74HC133

13-InputNANDGate

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

MM74HC133J

13-InputNANDGate

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

MM74HC133N

13-InputNANDGate

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

TC74HC133AF

13-InputNANDGate

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC74HC133AF

TOSHIBACMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC

13-InputNANDGate TheTC74HC133AisahighspeedCMOS13-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentLSTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Theinternalcircuitiscomposesof7stages,includingab

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC74HC133AP

TOSHIBACMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC

13-InputNANDGate TheTC74HC133AisahighspeedCMOS13-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentLSTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Theinternalcircuitiscomposesof7stages,includingab

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多HD74HC133RPEL供應商 更新時間2025-5-1 16:30:00

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