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HCTS30K中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HCTS30K
廠商型號

HCTS30K

功能描述

Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

文件大小

391.29 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 13:01:00

HCTS30K規(guī)格書詳情

Features

? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS

? Total Dose 200K RAD (Si)

? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg

? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/

Bit-Day (Typ)

? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s

? Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse

? Latch-Up Free Under Any Conditions

? Military Temperature Range: -55oC to +125oC

? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs

? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V

? LSTTL Input Compatibility

- VIL = 0.8V Max

- VIH = VCC/2 Min

? Input Current Levels Ii ? 5?A at VOL, VOH

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HCTS30K

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

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