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HCT802TXV中文資料Optek數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HCT802TXV
廠商型號

HCT802TXV
功能描述

Dual En hance ment Mode MOSFET
文件大小

233.77 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 OPTEK Technologies
企業(yè)簡稱

Optek

中文名稱

OPTEK Technologies官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-18 22:58:00

HCT802TXV規(guī)格書詳情

Description

HCT802 offers an N-Channel and PChannel MOS transistor in a hermetic ceramic surface mount package. The devices used are similar to industry standards 2N6661 N-Channel device and VP1008 P-Channel device. These two enhancement mode MOSFETS are particularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.

Features

? 6 pad surface mount package

? VDS = 90V

? RDS(on) <5W

? ID(on) N-Channel = 1.5A P-Channel = 1.1A

? Two devices selected for VDS, ID(on) and RDS(on) similarity

? Full TX Processing Available

? Gold plated contacts

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    HCT802TXV

  • 功能描述：

    MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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