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HCS10MS

Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

Description TheIntersilHCS10MSisaRadiationHardenedTriple3-InputNANDGate.AhighonallinputsforcestheoutputtoaLowstate. TheHCS10MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF

Intersil

Intersil Corporation

HCS10MS

Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

Features ?3MicronRadiationHardenedSOSCMOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(SI)/s20nsPulse ?Cos

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    HCS10MS

  • 制造商：

    INTERSIL

  • 制造商全稱：

    Intersil Corporation

  • 功能描述：

    Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HCS10MS供應商 更新時間2025-3-23 14:08:00

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